DIODES美台传感器芯片DGD05473FN-7详细参数介绍

来源: 安亿电子 人气:460 发表时间:2022/06/10 17:53:37
  描述

  DGD05473是一种高频栅极驱动器,能够驱动N通道mosfet。浮动式高侧驱动器额定电压为50V。

  DGD05473逻辑输入兼容标准TTL和CMOS电平(低至3.3V),轻松与mcu连接。高侧和低侧的UVLO将保护MOSFET的供应损失。为了保护mosfet,交叉导通防止逻辑防止HO和LO输出在同一时间上。

  快速和良好匹配的传播延迟允许更高的开关频率,使用更小的相关组件,实现更小、更紧凑的功率开关设计。为了最小化空间,包括一个内部自举二极管。DGD05473采用v-dfn3030-10封装,工作温度范围为-40℃至+125℃。

  应用程序

  直流-直流转换器

  电机控制

  电动手动工具

  eCig设备

  d类功率放大器


  特性

  50V浮动高侧驱动器

  驱动半桥配置的两个n通道mosfet

  包括1.5A源/2.5ASink输出电流能力内部自举二极管

  高侧和低侧驱动器的欠压锁定延时匹配最大5ns

  传播延迟典型为20ns

  逻辑输入(HIN,LIN和EN)3.3V能力

  超低待机电流(<1μA)

  扩展温度范围:-40°C至+125°C

  完全无铅和完全符合RoHS(注1和2)无卤素和锑。“绿色”器件(注3)对于需要特定变更控制的汽车应用(即符合AEC-Q100/101/200,PPAP能力,并在IATF16949认证设施中制造的部件),请联系我们或您当地的二极管代表。

  https://www.diodes.com/quality/product-definitions/

  机械数据

  例:V-DFN3030-10(标准)

  外壳材料:模制塑料。“绿色”模塑料。

  UL可燃性分级等级94V-0

  水分敏感性:J-STD-0203级

  终端:表面处理-亚光锡表面处理。可焊性符合MIL-STD202,方法208e3)

  重量:0.017克(约)